کد کالا: 54971
نو (جدید)
دستهبندی: SRAM Memory
موجودی:
توجه: آخرین موجودی فعلی!
خود آیسی IS61LV12824-10TQ یه SRAM آسنکرون پرسرعت با ولتاژ ۳٫۳ ولت می باشد
تاریخ در دسترس بودن: { dateFormatPersianWT date=$product->available_date full=false }
مشخصات کلی IS61LV12824-10TQ
• نوع حافظه: SRAM آسنکرون (Volatile – بعد از قطع برق پاک میشود) 
• ظرفیت:
• 3 مگابیت
• سازماندهی شده به صورت 128K × 24 بیت (یعنی 131072 کلمهی ۲۴ بیتی) 
• ولتاژ تغذیه:
• حدود ۳٫۳ ولت (۳٫۱۳۵ تا ۳٫۶ ولت) 
• سرعت:
• مدل -10 یعنی تاخیر دسترسی حداکثر ۱۰ نانوثانیه (10 ns Access Time / Write Cycle) 
• پکیج:
• 100-LQFP / TQFP-100 (سطحنصب، ۱۴×۲۰ میلیمتر تقریبا) 
• رابط:
• موازی ۲۴ بیتی (x24 Interface)، آدرسدهی 128K کلمهای، مناسب برای باس دادهی پهن 
• دمای کاری نسخه تجاری:
• حدود ۰ تا ۷۰ درجه سانتیگراد 
کاربردها
به طور معمول این آیسی در جاهایی استفاده میشود که:
1. نیاز به SRAM پرسرعت با باس ۲۴ بیتی هست
• با میکروکنترلرها و FPGAها برای بافر تصویر، دادهی سنسورها، یا دادههای پردازش سیگنال. 
2. سیستمهای پردازش دیجیتال و مخابرات
• به عنوان حافظه موقت (Buffer / Scratchpad RAM) برای الگوریتمهای فیلتر، FFT، یا پردازش دادههای پرسرعت.
3. سیستمهای گرافیکی و ویدئویی ساده
• برای نگهداری فریمبافرهای کوچک، جدول فونت، یا دادههای گرافیکی که نیاز به دسترسی سریع دارند.
4. بردهای صنعتی و کنترل real-time
• جایی که کنترلر اصلی به حافظه RAM خارجی سریع با پهنای ۲۴ بیت نیاز دارد (مثلا بعضی کنترلرها
لطفاً برای ثبت پاسخ خود به این پرسش، وارد سیستم شوید و یا ثبت نام کنید.
ورود به سیستم ایجاد حساب کاربری@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@