نمایش بزرگتر
BC237B
کد کالا: 42032
نو (جدید)
دسته‌بندی: ترانزیستورهای BJT
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
فروشنده: : سيليكون
تعداد محصولات: 2946
طرفداران: 10
تاریخ افتتاح: 1400-11-24
تعداد فروش: 200
دانلود
ویژگی های: BC237B
مشخصات کلی
نوع نصب :
DIP
Package :
TO-226
نوع :
تجاری
نوع عملکرد(Function Type) :
ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
عملکرد دینامیکی
پهنای باند ترانزیستور(MHz) :
150
مشخصات اصلی ترانزیستور
نوع ترانزیستور :
NPN
حداکثر Ic (آمپر) :
0.1
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
0.3
حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) :
45
حداکثر VCBO به( ولت ) :
50
حداقل Hfe :
110
حداکثر VEBO به ( ولت ) :
6
ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) :
5
حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) :
125
اطلاعات بیشتر
Package / Case: TO-92-3
Transistor Polarity: NPN
Configuration: Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Packaging: Bulk
Brand: onsemi
Continuous Collector Current: 0.1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
DC Current Gain hFE Max: 460
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@