نمایش بزرگتر
M3SWA-2-50DR
کد کالا: 169
نو (جدید)
دسته‌بندی: سوییچ های RF
موجودی: موجود
آی سی M3SWA-2-50DR یک SPDT سوییچ بسیار سریع 15 نانو ثانیه ای ، 50 اهمی برای فرکانس های DC تا 4500 مگاهرتزی با تلفات حداکثر 2dBو ایزولاسیون حداقل 30dB می باشد.
مستندات فنی و دیتاشیت
ویژگی های: M3SWA-2-50DR
مشخصات کلی
نوع نصب :
SMD
Package :
DL805
نوع :
نظامی
نوع عملکرد(Function Type) :
سوییچ SPDT
دمای کاری(سانتیگراد) :
-55 to 125
مشخصات تغذیه
نوع تغذیه :
تعذیه دوبل
حداقل ولتاژ تغذیه دوبل (±) (ولت) :
4.5
حداکثر ولتاژ تغذیه دوبل (±) (ولت) :
5
مشخصات تقویت کننده RF
حداکثر فرکانس کاری RF ( گیگا هرتز ) :
4.5
حداکثر توان P1dB خروجی ( dBm ) :
25
حداکثر تلفات / حداقل بهره (dB) :
-2.5
حداقل فرکانس کاری RF ( گیگا هرتز ) :
DC
سایر مشخصات محصول
حداکثر زمان خیز خروجی، Output Rise Time در ولتاژ 4.5 ولت ( نانو ثانیه ) :
10
حداکثر زمان فرود خروجی، Output Fall Time در ولتاژ 4.5 ولت ( نانو ثانیه ) :
15
حداکثر ولتاژ کنترلی ( ولت ) :
5
اطلاعات بیشتر
آِی سی M3SWA-2-50DR یک SPDT سوییچ ، 50 اهمی برای فرکانس های DC تا 4500 مگاهرتز با ایزولاسیون حداقل 30dB در همه فرکانس های کاری خود می باشد.
ناگفته نماند که این ایزولاسیون برای فرکانس های پایین تا 80dB افزایش می یابد.
مزیت دیگر این سوییچ تلفات کم در حدود 1dB در باند L می باشد.
این سوییچ نیاز به تغذیه 5+ ولت و 5- ولت دارد و برای کنترل سوییچ زنی یک سیگنال TTL برای آن کافی است.
زمان افزایش و یا کاهش این سوییچ حداکثر 10 نانو ثانیه و زمان سوییچینگ آن حداکثر 15 نانو ثانیه می باشد.
ناگفته نماند که این ایزولاسیون برای فرکانس های پایین تا 80dB افزایش می یابد.
مزیت دیگر این سوییچ تلفات کم در حدود 1dB در باند L می باشد.
این سوییچ نیاز به تغذیه 5+ ولت و 5- ولت دارد و برای کنترل سوییچ زنی یک سیگنال TTL برای آن کافی است.
زمان افزایش و یا کاهش این سوییچ حداکثر 10 نانو ثانیه و زمان سوییچینگ آن حداکثر 15 نانو ثانیه می باشد.
روش تست سالم بودن این آی سی قبل از مونتاژ آن است که پایه های RF باید نسبت به زمین دارای اهمی حدود 8 اهم باشند. در صورتی که این پایه ها به زمین اهمی نداشته باشند، آی سی سوخته است.
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@