کد کالا: 47613
نو (جدید)
دستهبندی: RF FET
موجودی:
توجه: آخرین موجودی فعلی!
ترانزیستور مخابراتی LDMOS با توان ۳۰۰ وات و گین 21db و فرکانس ۸۶۰ مگاهرتز اورجینال فیلیپس
تاریخ در دسترس بودن: { dateFormatPersianWT date=$product->available_date full=false }
LDMOS, RF, 300W, UHF, 89V, SOT-979A
2-Tone performance at 860 MHz, a drain-source voltage VDS of 42 V and a quiescent drain current IDq = 1.4 A:
Peak envelop power load power = 300 W
Power gain = 21 dB
Drain efficiency = 46 %
Third-order intermodulation distortion = 35 dBc
DVB performance at 858 MHz, a drain-source voltage VDS of 42 V and a quiescent drain current IDq = 1.4 A:
Average output power = 75 W
Power gain = 21 dB
Drain efficiency = 32 %
لطفاً برای ثبت پاسخ خود به این پرسش، وارد سیستم شوید و یا ثبت نام کنید.
ورود به سیستم ایجاد حساب کاربری@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@