نمایش بزرگتر
RA33H1516M1
کد کالا: 2851
نو (جدید)
دسته‌بندی: RF FET
موجودی: این محصول در انبار موجود نیست
RA33H1516M1 یک تقویت کننده ماسفت RF MOSFET با توان 33 وات در گستره فرکانسی 154 تا 162 مگاهرتز می باشد.
مستندات فنی و دیتاشیت
ویژگی های: RA33H1516M1
مشخصات کلی
نوع نصب :
DIP
Package :
H57
نوع :
نظامی
نوع عملکرد(Function Type) :
RF Mosfet
سایر مشخصات محصول
حداقل فرکانس کاری :
154 مگاهرتز
حداکثر فرکانس کاری :
162MHz
اطلاعات بیشتر
RA33H1516M1 یک تقویت کننده ماسفت RF MOSFET با توان 33 وات در گستره فرکانسی 154 تا 162 مگاهرتز می باشد.
این تقویت کننده در فرستنده بیسم ها بسیار کاربرد دارد.
لطفا قبل از خرید این تقویت کننده با فروشگاه هماهنگی نمایید.
این تقویت کننده در فرستنده بیسم ها بسیار کاربرد دارد.
لطفا قبل از خرید این تقویت کننده با فروشگاه هماهنگی نمایید.
DESCRIPTION
The RA33H1516M1 is a 33watt RF MOSFET Amplifier Module for 12.5volt mobile radios that operate in the 154MHz to 162MHz range.
The battery can be connected directly to the drain of the enhancement-mode MOSFET transistors.
The output power and drain current increase as the gate voltage increases.
With a gate voltage around 3.0V (minimum), output power and drain current increases substantially.
The nominal output power becomes available at 4V (typical) and 5V (maximum). At V =5V, the typical gate current is 1 mA.
This module is designed for non-linear FM modulation.
The RA33H1516M1 is a 33watt RF MOSFET Amplifier Module for 12.5volt mobile radios that operate in the 154MHz to 162MHz range.
The battery can be connected directly to the drain of the enhancement-mode MOSFET transistors.
The output power and drain current increase as the gate voltage increases.
With a gate voltage around 3.0V (minimum), output power and drain current increases substantially.
The nominal output power becomes available at 4V (typical) and 5V (maximum). At V =5V, the typical gate current is 1 mA.
This module is designed for non-linear FM modulation.
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@