نمایش بزرگتر
2N6080
کد کالا: 40325
نو (جدید)
دسته‌بندی: ترانزیستورهای RF BJT
موجودی: این محصول در انبار موجود نیست
RF & MICROWAVE TRANSISTORS. 130.,. 230MHz FM MOBILE APPLICATIONS
فروشنده: : سيليكون
تعداد محصولات: 3122
طرفداران: 12
تاریخ افتتاح: 1400-11-24
تعداد فروش: 2
ویژگی های: 2N6080
مشخصات کلی
نوع نصب :
SMD
Package :
TO-128
نوع :
صنعتی
نوع عملکرد(Function Type) :
ترانزیستور Bipolar نوع Silicon
عملکرد دینامیکی
پهنای باند ترانزیستور(MHz) :
175
مشخصات اصلی ترانزیستور
نوع ترانزیستور :
NPN
حداکثر Ic (آمپر) :
1
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
12
حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) :
18
حداکثر VCBO به( ولت ) :
36
حداقل Hfe :
5
حداکثر VEBO به ( ولت ) :
4
ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) :
20
حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) :
200
اطلاعات بیشتر
from P1dB. RF Power Transistor, up to 0.175 GHz, 4 W, 12 dB, 12.5 V, BiPolar, Ceramic.
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@