کد کالا: 55079
نو (جدید)
دستهبندی: ترانزیستورهای MOSFET
موجودی:
توجه: آخرین موجودی فعلی!
IRF9530NPBF از خانواده ماسفت میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
تاریخ در دسترس بودن: { dateFormatPersianWT date=$product->available_date full=false }
IRF9530NPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال P با ولتاژ کاری بالا و قابلیت اطمینان مناسب است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ ساید-های (High-Side) پرولتاژ طراحی شده است.
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
کانال: P-Channel
ولتاژ درین-سورس: -۱۰۰V
جریان درین پیوسته: -۱۴A
مقاومت روشن (RDS(on)): ۲۰۰mΩ
نوع بستهبندی: TO-220AB
حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): -۱۰۰V
جریان درین پیوسته (I_D): -۱۴A (در ۲۵°C)
مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۲۰۰mΩ (در V_GS = -۱۰V)
توان قابل تحمل (P_D): ۷۴W
مقاومت حرارتی (R_θJC): ۱٫۶°C/W
سوییچینگ ساید-های (High-Side) در منابع تغذیه
کنترلکنندههای موتور DC
سیستمهای مدیریت باتری
مدارهای قطع و وصل بار (Load Switch)
مبدلهای DC-DC
کاربردهای عمومی صنعتی با ولتاژ بالا
ولتاژ کاری بالا: -۱۰۰ ولت برای کاربردهای صنعتی
جریاندهی مناسب: -۱۴ آمپر پیوسته
پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی خوب و نصب آسان
بار گیت پایین: ۶۴nC برای درایو نسبتاً ساده
قابلیت اطمینان: عملکرد پایدار در شرایط کاری مختلف
هزینه بهینه: مقرون بهصرفه برای کاربردهای عمومی
IRF9530NPBF یک MOSFET کانال P با عملکرد مطمئن برای کاربردهای پرولتاژ ساید-های است. این قطعه با ترکیب ولتاژ کاری -۱۰۰ ولتی و جریان ۱۴- آمپری، راهحلی اقتصادی و قابل اعتماد برای سوییچینگ ساید-های ارائه میدهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مناسب را فراهم کرده و برای کاربردهای با توان متوسط ایدهآل است. توجه به طراحی مناسب درایور گیت و استفاده از هیتسینک در صورت نیاز برای دستیابی به عملکرد بهینه ضروری است. این ترانزیستور گزینهای مناسب برای پروژههای صنعتی نیازمند سوییچینگ ساید-های با ولتاژ بالا میباشد.
لطفاً برای ثبت پاسخ خود به این پرسش، وارد سیستم شوید و یا ثبت نام کنید.
ورود به سیستم ایجاد حساب کاربری@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_COMMENT@
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@