نمایش بزرگتر
IRF640S
کد کالا: 5484
نو (جدید)
دسته‌بندی: ترانزیستورهای MOSFET
موجودی: این محصول در انبار موجود نیست
ترانزیستور IRF640S یک ماسفت از نوع N-CHannel با تحمل ولتاژ 200 ولت و جریان 18 آمپر و توان 150 وات می باشد.
مستندات فنی و دیتاشیت
ویژگی های: IRF640S
مشخصات کلی
نوع نصب :
SMD
Package :
D2pak-DDpak-TO-263-3
مشخصات اصلی ترانزیستور
نوع ترانزیستور :
N-Channel
حداکثر Vds (ولت) :
200
حداکثر Vgs به (ولت) :
20
حداکثر Id (آمپر) :
18
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
125
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :
20
rdsON به (اهم) :
0.18
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
14
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
45
سایر مشخصات محصول
حداقل (Vgs(th به ( ولت ) :
4
اطلاعات بیشتر
ترانزیستور IRF640 یک ماسفت از نوع N-CHannel با تحمل ولتاژ 200 ولت و جریان 18 آمپر و توان 150 وات می باشد.
MOSFET, N, 200V, 18A, D2PAK;
Transistor Polarity:N Channel;
Continuous Drain Current Id:18A;
Drain Source Voltage Vds:200V;
On Resistance Rds(on):150mohm;
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V;
Threshold Voltage Vgs Typ:4V;
Power Dissipation Pd:150W;
Transistor Case Style:D2PAK;
No. of Pins:3;
SVHC:No SVHC (20-Jun-2011);
Current Id Max:18A;
Junction to Case Thermal Resistance A:1°C/W;
Package / Case:D2PAK;
Power Dissipation Pd:150W;
Power Dissipation Pd:150W;
Pulse Current Idm:72A;
Termination Type:SMD;
Voltage Vds Typ:200V;
Voltage Vgs Max:4V;
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V;
Voltage Vgs th Max:4V
Transistor Polarity:N Channel;
Continuous Drain Current Id:18A;
Drain Source Voltage Vds:200V;
On Resistance Rds(on):150mohm;
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V;
Threshold Voltage Vgs Typ:4V;
Power Dissipation Pd:150W;
Transistor Case Style:D2PAK;
No. of Pins:3;
SVHC:No SVHC (20-Jun-2011);
Current Id Max:18A;
Junction to Case Thermal Resistance A:1°C/W;
Package / Case:D2PAK;
Power Dissipation Pd:150W;
Power Dissipation Pd:150W;
Pulse Current Idm:72A;
Termination Type:SMD;
Voltage Vds Typ:200V;
Voltage Vgs Max:4V;
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V;
Voltage Vgs th Max:4V
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@