نمایش بزرگتر
IRF5852TR
کد کالا: 24342
نو (جدید)
دسته‌بندی: آرایه ترانزیستورهای MOSFET و FET
موجودی: این محصول در انبار موجود نیست
آی سی IRF5852TR دارای یک جفت ماسفت نوع HEXFET و N-Channel با تحمل توان 1 وات و لتاژ 20 ولت و جریان 2.2 آمپرو مقاومت 0.120 اهم نوع smd می باشد.
مستندات فنی و دیتاشیت
ویژگی های: IRF5852TR
مشخصات کلی
نوع نصب :
SMD
Package :
TSOP-6
مشخصات اصلی ترانزیستور
نوع ترانزیستور :
N-CH-Dual
حداکثر Vds (ولت) :
20
حداکثر Vgs به (ولت) :
20
حداکثر Id (آمپر) :
6.5
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
0.96
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :
20
rdsON به (اهم) :
0.12
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
6.6
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
15
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
1.2
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
2.4
اطلاعات بیشتر
آی سی IRF5852TR دارای یک جفت ماسفت نوع HEXFET و N-Channel با تحمل توان 1 وات و لتاژ 20 ولت و جریان 2.2 آمپرو مقاومت 0.120 اهم نوع smd می باشد.
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@