نمایش بزرگتر
bcy59IX
کد کالا: 267
نو (جدید)
دسته‌بندی: ترانزیستورهای BJT
موجودی: موجود
ترانزیستور bcy59 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی مکمل دار با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف سوییچینگ نوع NPN با تحمل توان 45 ولت و جریان 100 میلی آمپر.
ویژگی های: bcy59IX
مشخصات کلی
نوع نصب :
DIP
Package :
TO-18
نوع :
صنعتی
نوع عملکرد(Function Type) :
ترانزیستور silicon مکمل دار
دمای کاری(سانتیگراد) :
-65 to 200
عملکرد دینامیکی
پهنای باند ترانزیستور(MHz) :
150
مشخصات اصلی ترانزیستور
نوع ترانزیستور :
NPN
حداکثر Ic (آمپر) :
0.1
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
1
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
150
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
400
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
50
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
200
حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) :
45
حداکثر VCBO به( ولت ) :
45
حداکثر Hfe :
1000
حداقل Hfe :
60
حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) :
1.2
حداکثر VEBO به ( ولت ) :
7
VCEsat :
0.7
ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) :
5
ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) :
15
حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) :
200
حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) :
10
حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) :
0.2
حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) :
0.6
سایر مشخصات محصول
حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) :
0.01
اطلاعات بیشتر
ترانزیستور bcy59 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی مکمل دار با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف سوییچینگ نوع NPN با تحمل توان 45 ولت و جریان 100 میلی آمپر.
IC:3
IC:3
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@