نوع ترانزیستور :
NPN
حداکثر Ic (آمپر) :
0.2
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
0.625
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
35
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
200
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
35
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
50
حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) :
40
حداکثر VCBO به( ولت ) :
60
حداکثر Hfe :
300
حداقل Hfe :
30
حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) :
0.95
بهره جریان ترانزیستور ، Hfe :
100
VCEsat :
0.2
حداکثر جریان Icm ( آمپر ) :
0.05
حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) :
200
حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) :
83.3
حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) :
0.05
حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) :
0.65
@COMMENT_TITLE@
@COMMENT_COMMENT@