from P1dB. RF Power Transistor, up to 0.175 GHz, 4 W, 12 dB, 12.5 V, BiPolar, Ceramic.
2N6080
5,843,200 ریال
RF & MICROWAVE TRANSISTORS. 130.,. 230MHz FM MOBILE APPLICATIONS
دسته بندی کالاها
خیابان ولیعصر- پایین تر از جمهوری و قبل از بن بست میلانی - پلاک 1231 - طبقه 2 - واحد 5
تهران,
تهران,
ایران
5,843,200 ریال
RF & MICROWAVE TRANSISTORS. 130.,. 230MHz FM MOBILE APPLICATIONS
from P1dB. RF Power Transistor, up to 0.175 GHz, 4 W, 12 dB, 12.5 V, BiPolar, Ceramic.
| نوع نصب | SMD |
| Package | TO-128 |
| نوع | صنعتی |
| نوع ترانزیستور | NPN |
| حداکثر Ic (آمپر) | 1 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 12 |
| پهنای باند ترانزیستور(MHz) | 175 |
| حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) | 18 |
| حداکثر VCBO به( ولت ) | 36 |
| حداقل Hfe | 5 |
| حداکثر VEBO به ( ولت ) | 4 |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور Bipolar نوع Silicon |
| ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) | 20 |
| حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) | 200 |