ترانزیستور bcy59 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی مکمل دار با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف سوییچینگ نوع NPN با تحمل توان 45 ولت و جریان 100 میلی آمپر.
IC:3
IC:3
خیابان ولیعصر- قبل از تقاطع جمهوری -پلاک 1231 -طبقه 2-واحد 5
تهران,
تهران,
Iran
66767895
924,000 ریال
ترانزیستور bcy59 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی مکمل دار با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف سوییچینگ نوع NPN با تحمل توان 45 ولت و جریان 100 میلی آمپر.
نوع نصب | DIP |
Package | TO-18 |
نوع | صنعتی |
نوع ترانزیستور | NPN |
حداکثر Ic (آمپر) | 0.1 |
حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 1 |
پهنای باند ترانزیستور(MHz) | 150 |
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 150 |
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 400 |
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 50 |
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 200 |
حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) | 45 |
حداکثر VCBO به( ولت ) | 45 |
حداکثر Hfe | 1000 |
حداقل Hfe | 60 |
حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) | 1.2 |
حداکثر VEBO به ( ولت ) | 7 |
VCEsat | 0.7 |
نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور silicon مکمل دار |
ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) | 5 |
ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) | 15 |
حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) | 200 |
حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) | 10 |
حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) | 0.01 |
حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) | 0.2 |
حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) | 0.6 |
دمای کاری(سانتیگراد) | -65 to 200 |