خیابان ولیعصر- پایین تر از جمهوری و قبل از بن بست میلانی - پلاک 1231 - طبقه 2 - واحد 5
تهران,
تهران,
ایران
979,000 ریال
ترانزیستور bcy59 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی مکمل دار با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف سوییچینگ نوع NPN با تحمل توان 45 ولت و جریان 100 میلی آمپر.
| نوع نصب | DIP |
| Package | TO-18 |
| نوع | صنعتی |
| نوع ترانزیستور | NPN |
| حداکثر Ic (آمپر) | 0.1 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 1 |
| پهنای باند ترانزیستور(MHz) | 150 |
| حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 150 |
| حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 400 |
| حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 50 |
| حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 200 |
| حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) | 45 |
| حداکثر VCBO به( ولت ) | 45 |
| حداکثر Hfe | 1000 |
| حداقل Hfe | 60 |
| حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) | 1.2 |
| حداکثر VEBO به ( ولت ) | 7 |
| VCEsat | 0.7 |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور silicon مکمل دار |
| ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) | 5 |
| ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) | 15 |
| حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) | 200 |
| حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) | 10 |
| حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) | 0.01 |
| حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) | 0.2 |
| حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) | 0.6 |
| دمای کاری(سانتیگراد) | -65 to 200 |