ترانزیستور BLF175 یک ترانزیستور ماسفت 68 واتی جهت فرکانس های HF/VHF با توان حداکثر 68 وات می باشد.
این ترانزیستور اورجینال و اصل است و ساخت شرکت NXP می باشد.
این ترانزیستورها توسط تست بنچ مخصوص آنها تست شده و کاملا سالم می باشند.
این ترانزیستور اورجینال و اصل است و ساخت شرکت NXP می باشد.
این ترانزیستورها توسط تست بنچ مخصوص آنها تست شده و کاملا سالم می باشند.
MOSFET, VHF, SOT-123;
Transistor Type:RF MOSFET;
Drain Source Voltage Vds:125V;
Continuous Drain Current Id:4A;
Power Dissipation Pd:68W;
RF Transistor Case:SOT-123A;
No. of Pins:4;
Application Code:RFPOWMOS;
Base Number:1;
Current Idss Max:100µA;
Gain Bandwidth ft Typ:32MHz;
Junction to Case Thermal Resistance A:2.6°C/W;
On Resistance Rds(on):750mohm;
On State Resistance Max:1.5ohm;
Package / Case:SOT-123;
Pin Format:D(1), S(2&4), G(3);
Power Dissipation Max:68W;
Power Dissipation Pd:68W;
Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V;
Transistor Case Style:SOT-123;
Transistor Polarity:N Channel;
Voltage Vds Typ:125V;
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V;
Transistor Type:RF MOSFET;
Drain Source Voltage Vds:125V;
Continuous Drain Current Id:4A;
Power Dissipation Pd:68W;
RF Transistor Case:SOT-123A;
No. of Pins:4;
Application Code:RFPOWMOS;
Base Number:1;
Current Idss Max:100µA;
Gain Bandwidth ft Typ:32MHz;
Junction to Case Thermal Resistance A:2.6°C/W;
On Resistance Rds(on):750mohm;
On State Resistance Max:1.5ohm;
Package / Case:SOT-123;
Pin Format:D(1), S(2&4), G(3);
Power Dissipation Max:68W;
Power Dissipation Pd:68W;
Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V;
Transistor Case Style:SOT-123;
Transistor Polarity:N Channel;
Voltage Vds Typ:125V;
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V;