تهران- بلوار جمهوری اسلامی-خیابان سی تیر- نبش کوچه رستمی جاهد- پلاک67- واحد2
تلفن دفتر:02165021235 , 02165021256
تهران,
تهران,
ico.qregnounfanwafnawecmdkskarvm3452543342fdgd.ico
6,589,000 ریال
STP9NK50Z یک ترانزیستور اثر میدان از نوع N-کانال (N-channel Power MOSFET) است که توسط شرکت STMicroelectronics تولید میشود. این قطعه به دلیل مشخصات فنی و قابلیت اطمینان بالا، در طیف وسیعی از مدارهای الکترونیکی، به خصوص در مدارهای سوئیچینگ قدرت (Power Switching)، کاربرد دارد.
پکیج: TO‑۲۲۰ DIP با توجه به جریان و ولتاژ کاری، برای کاربردهای مداوم یا با توان بالا، استفاده از هیتسینک مناسب برای دفع حرارت ضروری است.
STP9NK50Z یک ترانزیستور اثر میدان از نوع N-کانال (N-channel Power MOSFET) است که توسط شرکت STMicroelectronics تولید میشود. این قطعه به دلیل مشخصات فنی و قابلیت اطمینان بالا، در طیف وسیعی از مدارهای الکترونیکی، به خصوص در مدارهای سوئیچینگ قدرت (Power Switching)، کاربرد دارد.
| نوع نصب | DIP |
| Package | TO-220 |
| نوع ترانزیستور | N-Channel |
| حداکثر Vds (ولت) | 500 |
| حداکثر Vgs به (ولت) | 30 |
| حداکثر Id (آمپر) | 7.2 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 110 |
| حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) | 30 |
| حداقل (Vgs(th به ( ولت ) | 3.75 |
| rdsON به (اهم) | 0.72 |
| حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 17 |
| حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 45 |
| حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 20 |
| حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 22 |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور قدرت MOSFET |
| حداکثر جریان درین ( Id ) | 7.2 |
| حداکثر توان مصرفی ، Power Dissipation ( میلی وات ) | 110000 |