سرعت سوئیچ زنی بالای این ماسفت به همراه طراحی دقیق و سختگیرانه سبب شده تا محصول نهایی به یک ماسفت بسیار کارامد تبدیل شود.
IRF540N
1,089,000 ریال
ترانزیستور IRF540N پاور ماسفت N-CHANNEL با توان 150W،100V،33A ساختIR
تهران- بلوار جمهوری اسلامی-خیابان سی تیر- نبش کوچه رستمی جاهد- پلاک67- واحد2
تلفن دفتر:02165021235 , 02165021256
تهران,
تهران,
ico.qregnounfanwafnawecmdkskarvm3452543342fdgd.ico
1,089,000 ریال
ترانزیستور IRF540N پاور ماسفت N-CHANNEL با توان 150W،100V،33A ساختIR
سرعت سوئیچ زنی بالای این ماسفت به همراه طراحی دقیق و سختگیرانه سبب شده تا محصول نهایی به یک ماسفت بسیار کارامد تبدیل شود.
| نوع آپ امپ | General Purpose |
| وضعیت تولید | فعال |
| ولتاژ تغذیه دوبل (ولت) | ±1.5 to 16 |
| حداکثر جریان خروجی هر کانال (mA) | 30 |
| ولتاژ تغذیه تکی | 3 to 32 |
| نوع نصب | SMD |
| Package | SOIC-8 |
| نوع | تجاری |
| نوع ترانزیستور | N-Channel |
| حداکثر Vds (ولت) | 100 |
| حداکثر Vgs به (ولت) | 20 |
| حداکثر Id (آمپر) | 33 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 130 |
| حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) | 4 |
| حداقل (Vgs(th به ( ولت ) | 2 |
| rdsON به (اهم) | 0.044 |
| حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 9.5 |
| حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 40 |
| حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 57 |
| حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 55 |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور قدرت MOSFET |
| نرخ افزایش ولتاژ بر اساس V/µs | 0.3 |
| حداکثر ولتاژ - آفست ورودی ( ± میلی ولت) | 3 |
| حداکثر جریان درین ( Id ) | 33 |
| حداکثر جریان - تغذیه (میلی آمپر) | 1 |
| حداکثر توان مصرفی ، Power Dissipation ( میلی وات ) | 500 |
| حداقل نسبت حذف منبع تغذیه،PSRR واحد (dB) | 100 |
| حداقل نسبت حذف مد مشترک CMRR واحد (dB) | 85 |
| حداکثر جریان - بایاس ورودی (nA) | 20 |
| تعداد تقویت کننده در قطعه | 2 |
| پهنای باند -3 dB براساس مگاهرتز | 4 |
| نوع تغذیه | تعذیه دوبل و تغذیه تکی |
| حداقل ولتاژ تغذیه دوبل (±) (ولت) | 3 |
| حداکثر ولتاژ تغذیه دوبل (±) (ولت) | 16 |
| حداقل ولتاژ تغذیه تکی (ولت) | 3 |
| حداکثر ولتاژ تغذیه تکی (ولت) | 32 |
| دمای کاری(سانتیگراد) | 0 to 70 |