Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.62 Ω
Drain-source voltage (VDSS ): 600 V
Gate-source voltage (VGSS): ±30 V
Drain current (ID): 10A
تهران- بلوار جمهوری اسلامی-خیابان سی تیر- نبش کوچه رستمی جاهد- پلاک67- واحد2
تلفن دفتر:02165021235 , 02165021256
تهران,
تهران,
ico.qregnounfanwafnawecmdkskarvm3452543342fdgd.ico
421,300 ریال
ترانزیستور TK10A60D یک ماسفت از نوع N-Channel با تحمل ولتاژ 600 ولت و جریان خروجی 10 آمپر و بدنه پلاستیکی می باشد. این ماسفت اورجینال بوده و ساخت شرکت توشیبا می باشد. Toshiba MOSFET, N-Channel
Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.62 Ω
Drain-source voltage (VDSS ): 600 V
Gate-source voltage (VGSS): ±30 V
Drain current (ID): 10A
| نوع نصب | DIP |
| Package | TO-220F |
| نوع ترانزیستور | N-Channel |
| حداکثر Vds (ولت) | 600 |
| حداکثر Vgs به (ولت) | 30 |
| حداکثر Id (آمپر) | 10 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 45 |
| حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) | 4 |
| rdsON به (اهم) | 0.75 |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور قدرت MOSFET |
| حداکثر جریان درین ( Id ) | 10 |
| حداکثر توان مصرفی ، Power Dissipation ( میلی وات ) | 45000 |