N-MOS,200V,0.6A,1W,1.5 ohm Metal Oxide N-Channel Fet, Enhancement Type ; V-Mos, 200V, 0.6A, 1W, 1.5 ohm (0,36A)
IRFD210
1,460,800 ریال
ترانزیستور IRFD210 از نوع N-CHannel با تحمل ولتاژ 200 ولت و جریان دهی 0.6 آمپر توان 1 وات می باشد.
خیابان ولیعصر- پایین تر از جمهوری و قبل از بن بست میلانی - پلاک 1231 - طبقه 2 - واحد 5
تهران,
تهران,
ایران
1,460,800 ریال
ترانزیستور IRFD210 از نوع N-CHannel با تحمل ولتاژ 200 ولت و جریان دهی 0.6 آمپر توان 1 وات می باشد.
N-MOS,200V,0.6A,1W,1.5 ohm Metal Oxide N-Channel Fet, Enhancement Type ; V-Mos, 200V, 0.6A, 1W, 1.5 ohm (0,36A)
| نوع نصب | DIP |
| Package | HVMDIP |
| نوع | صنعتی |
| نوع ترانزیستور | N-Channel |
| حداکثر Vds (ولت) | 200 |
| حداکثر Vgs به (ولت) | 20 |
| حداکثر Id (آمپر) | 0.6 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 1 |
| حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) | 20 |
| حداقل (Vgs(th به ( ولت ) | 2 |
| rdsON به (اهم) | 1.5 |
| حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 8.2 |
| حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 14 |
| حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 17 |
| حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 8.9 |
| حداکثر جریان درین ( Id ) | 0.6 |
| دمای کاری(سانتیگراد) | -55 to 150 |