0

خیابان ولیعصر- پایین تر از جمهوری و قبل از بن بست میلانی - پلاک 1231 - طبقه 2 - واحد 5
تهران, تهران, ایران

66767986

info@ickala.com

مشاهده و خرید سریع بررسی بیشتر
BUZ80AFI

585,200 ریال

High voltage N-channel Power MOSFET designed using the ultimate MDmesh K6 technology.

توضیحات کالا

Manufacturer: STMicroelectronics 
Product Category: MOSFET 
Technology: Si 
Mounting Style: Through Hole 
Package / Case: TO-220-3 
Transistor Polarity: N-Channel 
Number of Channels: 1 Channel 
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V 
Id - Continuous Drain Current: 3.8 A 
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.5 Ohms 
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V 
Minimum Operating Temperature: - 65 C 
Maximum Operating Temperature: + 150 C 
Pd - Power Dissipation: 100 W 
Channel Mode: Enhancement 
Brand: STMicroelectronics 
Configuration: Single 
Fall Time: 140 ns 
Forward Transconductance - Min: 1 S 
Height: 9.15 mm 
Length: 10.4 mm 
Product Type: MOSFET 
Rise Time: 150 ns 
Series: BUZ80A
Factory Pack Quantity: 50 
Subcategory: MOSFETs

ویژگی های کالا

نوع نصب DIP
Package TO-220
نوع صنعتی
نوع ترانزیستور N-Channel
حداکثر Vds (ولت) 800
حداکثر Vgs به (ولت) 20
حداکثر Id (آمپر) 2.4
حداکثر توان مصرفی ( وات ) 40
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) 20
حداقل (Vgs(th به ( ولت ) 2
rdsON به (اهم) 2.5
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) 90
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) 145
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) 500
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) 190
نوع عملکرد(Function Type) ترانزیستور فدرت MOSFET
حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) 150
حداکثر جریان درین ( Id ) 2.4
دمای کاری(سانتیگراد) -55 to 150

نظرات کالا

هنوز هیچ نظری ارسال نشده است