2SK1341
2,200,000 ریال
This is 900V, 6A, Silicon N-Channel MOSFET. Features. 1. Low on-resistance 2. High speed switching 3. Low drive current
خیابان ولیعصر- پایین تر از جمهوری و قبل از بن بست میلانی - پلاک 1231 - طبقه 2 - واحد 5
تهران,
تهران,
ایران
2,200,000 ریال
This is 900V, 6A, Silicon N-Channel MOSFET. Features. 1. Low on-resistance 2. High speed switching 3. Low drive current
| نوع نصب | DIP |
| Package | TO-3P |
| نوع | صنعتی |
| نوع ترانزیستور | N-Channel |
| حداکثر Vds (ولت) | 900 |
| حداکثر Vgs به (ولت) | 30 |
| حداکثر Id (آمپر) | 6 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 100 |
| حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) | 30 |
| حداقل (Vgs(th به ( ولت ) | 2 |
| rdsON به (اهم) | 2 |
| حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 100 |
| حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 225 |
| حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 80 |
| حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 100 |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور فدرت سریع MOS |
| حداکثر جریان درین ( Id ) | 6 |
| دمای کاری(سانتیگراد) | -55 to 150 |