مشخصات کلی

• نوع حافظه: Page-Write EEPROM / NOR Flash با تکنولوژی SuperFlash

• ظرفیت:

• ۲ مگابیت = 256K × 8 بیت (۲۵۶هزار آدرس، هرکدوم ۱ بایت)

• ولتاژ کاری (SST29VE020):

• حدود ۲٫۷ تا ۳٫۶ ولت (Low-Voltage)

• سرعت دسترسی:

• پسوند -200 یعنی ۲۰۰ نانوثانیه زمان دسترسی برای Read

• نوع نوشتن:

• Page-Write، در صفحات ۱۲۸ بایتی

• زمان نوشتن هر صفحه حدود ۵ ms (تیپیک)؛ کل حافظه حدوداً در ۱۰ ثانیه می‌تونه دوباره نوشته بشه

• توان و دوام:

• جریان فعال حدود ۱۰ mA (تیپیک) روی ۳ ولت

• جریان استندبای حدود ۱۰ µA (تیپیک)

• دوام نوشتن ~۱۰۰٬۰۰۰ سیکل و نگه‌داری داده بالای ۱۰۰ سال (تیپیک)

• پسوندها:

• 4I → رنج دمای صنعتی −۴۰ تا +۸۵°C

• EH / EHE → پکیج TSOP-32 باریک ۸×۲۰ میلی‌متری، ۳۲ پایه، SMD (EHE معمولا نسخه‌ی RoHS / سبز همون پکیج است)

⸻

کاربردهای معمول

این آی‌سی معمولاً برای:

• حافظه‌ی Firmware / Bootloader / برنامه اصلی در بردهایی که با ۳٫۳ ولت یا ۳ ولت کار می‌کنن.

• ذخیره‌ی تنظیمات دائمی، جدول LUT، فونت، پارامترهای کالیبراسیون که هر از چند وقت آپدیت می‌شن.

• جایگزین فلش/EEPROM موازی ۲ مگابیتی (256K×8) مثل بعضی از مدل‌های Atmel/AMD در سیستم‌های قدیمی (با همان باس ۸بیتی موازی)