خیابان ولیعصر- پایین تر از جمهوری و قبل از بن بست میلانی - پلاک 1231 - طبقه 2 - واحد 5
تهران,
تهران,
ایران
58,850 ریال
ترانزیستور 10N50 یک ترانزیستور قدرت MOSFET نوع N-CHANNEL با تحمل ولتاژ 500 ولت و جریان 10 آمپر برای کاربرد در سیستم های قدرت سوییچینگ و اصلاح کسینوس فی و مدارات بالاست لامپ .
| نوع نصب | DIP |
| Package | TO-220 |
| نوع | صنعتی |
| نوع ترانزیستور | N-Channel |
| حداکثر Vds (ولت) | 500 |
| حداکثر Vgs به (ولت) | 30 |
| حداکثر Id (آمپر) | 10 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 143 |
| حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) | 2 |
| حداقل (Vgs(th به ( ولت ) | 10 |
| rdsON به (اهم) | 0.68 |
| حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 67 |
| حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 290 |
| حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 170 |
| حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 165 |
| حداکثر زمان بازیابی معکوس Trr به ( نانو ثانیه ) | 50 |
| ولتاژ شکست درین سورس BVdss به ( ولت ) | 500 |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور فدرت MOSFET |
| ظرفیت خازنی ورودی Ciss به ( پیکو فاراد ) | 2096 |
| ظرفیت خازنی خروجی Coss به ( پیکو فاراد ) | 230 |
| ظرفیت خازنی انتقال معکوس Crss به ( پیکو فاراد ) | 24 |
| شارژ گیت به سورس Qgs به ( nC ) | 7.5 |
| شارژ گیت به درین "اثر میلر" Qgd به ( nC ) | 18.5 |
| حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) | 62.5 |
| حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) | 0.83 |
| حداکثر شارژ بازیابی معکوس QRR به ( uC ) | 0.1 |
| حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) | 150 |
| حداکثر جریان نشتی گیت به سورس Igss (± نانو آمپر ) | 100 |
| حداکثر جریان درین ( Id ) | 10 |
| حداکثر جریان پیوسته سورس به درین Isd به ( آمپر ) | 10 |
| حداکثر جریان پالسی سورس به درین Isdm به ( آمپر ) | 40 |
| دمای کاری(سانتیگراد) | -55 to 150 |