آی سی FP1189 یک HFET یا Heterostructure FET با راندمان بالای 500 میلی واتی با پکیج SOT-89 نصب سطحی می باشد. این تقویت کننده بهترین حالت را در بایاس درین 8+ ولت و جریان 125 میلی آمپری دارد که در این حالت دارای P1dB برابر با 27dBm+ و مقدار IP3 برابر با 40dBm+ و گین 20.5dB+ در فرکانس 900 مگاهرتزی دارد.
FP1189G
4,549,600 ریال
آِی سی FP1189 یک تقویت کننده HFET با 500 میلی وات توان خروجی در باند فرکانسی 50 مگاهرتز تا 4000 مگاهرتز می باشد.