Dual Matched Very Low Noise N-Channel JFET, 50V, IDSS=2.6~6.5mA, NF=0.5dB(typ), Power Dissipation: 200mW, max, Junction Temperature: 120 C max, package: 2-10M1A, Made by Toshiba(Japan)

ترانزیستور JFET‌ دوبل با مشخصات الکتریکی مشابه در یک پکیج، از این قطعه در طبقه اول تقویت کننده های بسیار کم نویز صدا و تقویت کننده های DC‌ استفاده می‌شود. با قرار دادن این قطعه قبل از تقویت کننده های Op-amp‌ می‌توان نویز کل سیستم را به شدت کاهش داد.