ترانزیستور HGTG10N120BND از نوع IGBT و N-CHannel با تحمل ولتاژ 1200 ولت 35 آمپر در دمای 25 درجه 17 آمپر در دمای 110 درجه و توان 298 وات و دارای دیود هرزگرد می باشد.
این N-CH IGBT دارای مشخصات زمانی به شرح tr=15ns , tf=140ns , tdon=26ns , tdoff=210ns می باشد.
با توجه به مشخصات این ماسفت قدرت ، قابلیت استفاده در فرکانس سوییچینگ بسیار بالایی را دارد.
این N-CH IGBT دارای مشخصات زمانی به شرح tr=15ns , tf=140ns , tdon=26ns , tdoff=210ns می باشد.
با توجه به مشخصات این ماسفت قدرت ، قابلیت استفاده در فرکانس سوییچینگ بسیار بالایی را دارد.