ROHM]. Low Freq. Power Amp. Epitaxial Planar NPN Silicon Transisor. Features 1) Low collector saturation voltage: VCE(sat)=0.5V (Typ.) IC/iB=2A/0.2A
2SD1506
23,430 ریال
BD439=NPN Low collector saturation voltage: VCE(sat)=0.5V (Typ.) IC/iB=2A/0.2A
دسته بندی کالاها
خیابان ولیعصر- پایین تر از جمهوری و قبل از بن بست میلانی - پلاک 1231 - طبقه 2 - واحد 5
تهران,
تهران,
ایران
23,430 ریال
BD439=NPN Low collector saturation voltage: VCE(sat)=0.5V (Typ.) IC/iB=2A/0.2A
ROHM]. Low Freq. Power Amp. Epitaxial Planar NPN Silicon Transisor. Features 1) Low collector saturation voltage: VCE(sat)=0.5V (Typ.) IC/iB=2A/0.2A
| نوع نصب | DIP |
| Package | TO-126 |
| جنس بدنه | فلزی |
| نوع ترانزیستور | NPN |
| حداکثر Ic (آمپر) | 2 |
| حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) | 50 |