| NPN | |
| Single | |
| 60 V | |
| 60 V | |
| 5 V | |
| 600 mV | |
| 2 A | |
| 25 W | |
| 3 MHz | |
| - 65 C | |
| + 150 C | |
| BD235 |
BD235
55,000 ریال
Philips: Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
تهران- بلوار جمهوری اسلامی-خیابان سی تیر- نبش کوچه رستمی جاهد- پلاک67- واحد2
تلفن دفتر:02165021235 , 02165021256
تهران,
تهران,
ico.qregnounfanwafnawecmdkskarvm3452543342fdgd.ico
55,000 ریال
Philips: Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
| NPN | |
| Single | |
| 60 V | |
| 60 V | |
| 5 V | |
| 600 mV | |
| 2 A | |
| 25 W | |
| 3 MHz | |
| - 65 C | |
| + 150 C | |
| BD235 |
| نوع نصب | DIP |
| Package | TO-126 |
| نوع | صنعتی |
| نوع ترانزیستور | NPN |
| حداکثر Ic (آمپر) | 2 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 25 |
| پهنای باند ترانزیستور(MHz) | 3 |
| حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) | 60 |
| حداکثر VCBO به( ولت ) | 60 |
| حداکثر Hfe | 100 |
| حداقل Hfe | 25 |
| حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) | 0.7 |
| حداکثر VEBO به ( ولت ) | 5 |
| بهره جریان ترانزیستور ، Hfe | 1A |
| VCEsat | 0.6 |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور BJT توان متوسط مکمل دار |
| حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) | 150 |
| حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) | 10 |
| حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) | 10 |
| حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) | 1 |