خیابان ولیعصر- پایین تر از جمهوری و قبل از بن بست میلانی - پلاک 1231 - طبقه 2 - واحد 5
تهران,
تهران,
ایران
1,950,300 ریال
ترانزیستور BCY79 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی کم نویز با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف سوییچینگ نوع PNP با تحمل توان 45- ولت و جریان 100- میلی آمپر.
| نوع نصب | DIP |
| Package | TO-18 |
| نوع | صنعتی |
| نوع ترانزیستور | PNP |
| حداکثر Ic (آمپر) | 0.1 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 1 |
| پهنای باند ترانزیستور(MHz) | 100 |
| حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 100 |
| حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 600 |
| حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 65 |
| حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 100 |
| حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) | 45 |
| حداکثر VCBO به( ولت ) | 45 |
| حداکثر Hfe | 400 |
| حداقل Hfe | 30 |
| حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) | 0.75 |
| حداکثر VEBO به ( ولت ) | 5 |
| بهره جریان ترانزیستور ، Hfe | 200 |
| VCEsat | 0.8 |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور Bipolar نوع Silicon |
| حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) | 450 |
| حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) | 150 |
| حداکثر عدد نویز (dB) | 10 |
| حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) | 10 |
| حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) | 0.02 |
| حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) | 0.2 |
| حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) | 0.6 |
| دمای کاری(سانتیگراد) | -65 to 200 |