خیابان جمهوری، نرسیده به پاساژ علاالدین، خیابان لاله، پلاک 9، طبقه اول
تهران,
تهران,
Iran
66767895
1,840,300 ریال
ترانزیستور BCY79 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی کم نویز با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف سوییچینگ نوع PNP با تحمل توان 45- ولت و جریان 100- میلی آمپر.
| نوع نصب | DIP |
| Package | TO-18 |
| نوع | صنعتی |
| نوع ترانزیستور | PNP |
| حداکثر Ic (آمپر) | 0.1 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 1 |
| پهنای باند ترانزیستور(MHz) | 100 |
| حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 100 |
| حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 600 |
| حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 65 |
| حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 100 |
| حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) | 45 |
| حداکثر VCBO به( ولت ) | 45 |
| حداکثر Hfe | 400 |
| حداقل Hfe | 30 |
| حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) | 0.75 |
| حداکثر VEBO به ( ولت ) | 5 |
| بهره جریان ترانزیستور ، Hfe | 200 |
| VCEsat | 0.8 |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور Bipolar نوع Silicon |
| حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) | 450 |
| حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) | 150 |
| حداکثر عدد نویز (dB) | 10 |
| حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) | 10 |
| حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) | 0.02 |
| حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) | 0.2 |
| حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) | 0.6 |
| دمای کاری(سانتیگراد) | -65 to 200 |