نوع ترانزیستور :
IGBT
حداکثر Ic (آمپر) :
23
VCEsat :
1200
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
60
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
300
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
50
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
30
حداکثر زمان بازیابی معکوس Trr به ( نانو ثانیه ) :
150
حداکثر شارژ بازیابی معکوس QRR به ( uC ) :
5.4
ظرفیت خازنی ورودی Ciss به ( پیکو فاراد ) :
1750
ظرفیت خازنی خروجی Coss به ( پیکو فاراد ) :
150
ظرفیت خازنی انتقال معکوس Crss به ( پیکو فاراد ) :
75
