نوع ترانزیستور :
N-Channel
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
180
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :
30
rdsON به (اهم) :
0.075
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
90
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
260
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
570
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
240
حداکثر Vds (ولت) :
200
حداکثر Vgs به (ولت) :
30
حداکثر Id (آمپر) :
20
