نوع ترانزیستور :
N-Channel
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
89
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :
20
rdsON به (اهم) :
0.0022
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
21
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
27
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
71
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
8.1
حداکثر Vds (ولت) :
30
حداکثر Vgs به (ولت) :
20
حداکثر Id (آمپر) :
170
