نوع ترانزیستور :
P-Channel
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
3.1
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :
20
rdsON به (اهم) :
0.5
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
11
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
9.6
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
63
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
31
حداکثر Vds (ولت) :
60
حداکثر Vgs به (ولت) :
20
حداکثر Id (آمپر) :
1.8