نوع ترانزیستور :
N-Channel
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
100
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :
20
rdsON به (اهم) :
0.15
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
50
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
100
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
450
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
45
حداکثر Vds (ولت) :
60
حداکثر Vgs به (ولت) :
20
حداکثر Id (آمپر) :
12