نوع ترانزیستور :
N-Channel
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
1.8
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :
10
rdsON به (اهم) :
30
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
15
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
20
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
5
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
15
حداکثر Vds (ولت) :
40
حداکثر Vgs به (ولت) :
10
حداکثر Id (آمپر) :
150
