نوع ترانزیستور :
N-Channel
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
120
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :
rdsON به (اهم) :
0.04
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
9.5
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
40
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
57
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
55
حداکثر Vds (ولت) :
100
حداکثر Vgs به (ولت) :
حداکثر Id (آمپر) :
33