MJ11015 ترانزیستور قدرت جریان بالای سیلیکونی BJT نوع PNP مکمل دار با تحمل جریان کلکتور 30- آمپر و ولتاژ 120- ولت مناسب برای ساخت درایور و تقویت کننده های قدرت خطی

مشخصات کلی

نوع عملکرد(Function Type) : ترانزیستور قدرت BJT مکمل دار
نوع نصب : DIP
Package : TO-204AA
نوع : صنعتی
دمای کاری(سانتیگراد) : -50 to 200

عملکرد دینامیکی

پهنای باند ترانزیستور(MHz) : 4

مشخصات اصلی ترانزیستور

نوع ترانزیستور : PNP
حداکثر توان مصرفی ( وات ) : 25
حداکثر VCBO به( ولت ) : 120
حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) : 120
حداکثر VEBO به ( ولت ) : 5
حداکثر Ic (آمپر) : 30
بهره جریان ترانزیستور ، Hfe : 1000
حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) : 3.5
حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) : 5
VCEsat : 4
حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) : 0.83
حداقل Hfe : 200
حداکثر Hfe : 1000
حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) : 1

سایر مشخصات محصول

حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) : 5