نوع ترانزیستور :
N-Channel
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
200
حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) :
20
rdsON به (اهم) :
0.004
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
17
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
72
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
140
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
26
حداکثر Vds (ولت) :
40
حداکثر Vgs به (ولت) :
20
حداکثر Id (آمپر) :
162