نوع ترانزیستور :
N-Channel
حداکثر توان مصرفی ( وات ) :
1.3
حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) :
150
rdsON به (اهم) :
0.85
حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) :
45
حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) :
450
حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) :
40
حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) :
110
حداکثر Vds (ولت) :
60
حداکثر Vgs به (ولت) :
20
حداکثر Id (آمپر) :
2
